소울의 IT 길잡이

12일부터 3일간 포럼 진행… 현지 전문 인력과 박사 과정 인재 초청해 교류 곽노정 CEO 기조연설 맡아 AI 메모리 1등 기술력 소개하고 미래 비전 제시 주요 경영진도 참석, 업계 기술 발전 방향 논의 및 인적 네트워크 확대 SK하이닉스가 오는 12일부터 14일까지(미국시간) 캘리포니아주 새너제이(San Jose)에서 그룹 주요 관계사들과 함께 ‘2024 SK 글로벌 포럼’을 연다고 11일 밝혔다.이 포럼은 SK가 반도체, AI, 에너지 등 사업 분야에서 일하는 미국 내 인재들을 초청해 그룹의 성장 전략을 공유하고, 최신 기술과 글로벌 시장 동향을 논의하는 자리로, 2012년부터 매년 열리고 있다. 그룹 관계사들은 이 포럼을 현지에서 우수 인재를 발굴하는 기회로도 활용하고 있다. 올해 행사에는 SK하이..

인텔은 옵테인+QLC(Quad Level Cell, 쿼드 레벨 셀)를 통해 메모리 및 스토리지를 다시 그리기 위한 비전의 윤곽을 드러내고 있습니다. 인텔은 현재 업계에서 누구도 가지고 있지 않은 인텔® 옵테인™과 인텔® QLC 3D 낸드(3D NAND)라는 두 가지의 독자적인 메모리 기술 및 스토리지 솔루션의 조합으로 메모리 및 스토리지 시장을 다시 그리고 컴퓨팅의 새 시대를 점화하고 있습니다.롭 크룩(Rob Crooke) 인텔 수석 부사장 겸 비휘발성 메모리 솔루션 그룹 총괄은 “인텔 옵테인 및 3D 낸드 기술은 컴퓨터 및 스토리지 설계자와 개발자들로 하여금 그들이 필요한 데이터에 적시 적소에 접근할 수 있도록 해 주는데, 이 두 가지 기술은 현재 작업 중인 데이터와 접근 대기 중인 데이터 사이에 존재..

▲ 삼성전자가 세계 최초로 양산을 시작하는 '1y나노 공정기반 8Gb DDR4 D램' 제품(사진출처:삼성전자 공식홈페이지)삼성전자가 역대 최고 수준의 공정 개발 난제를 극복하고 세계 최초로 '10나노급 2세대(1y나노) D램'을 양산한다고 밝혔습니다. 2016년 2월에 '1x나노(10나노급 1세대) 8Gb D램'을 양산하며, 본격적인 10나노급 D램 시대를 연 삼성전자는 21개월만에 또다시 반도체 미세공정 한계를 극복하였습니다. 삼성전자는 차세대 극자외선(EUV) 노광장비를 사용하지 않고도 1세대 10나노급 D램보다 생산성을 약 30% 높여 글로벌 고객의 프리미엄 D램 수요 증가에 적기 대응할 수 있는 초격차 경쟁력을 구축했으며, 2012년에 양산한 2y나노(20나노급) 4Gb DDR3 보다 용량/속도/..

▲ 512GB eUFS 설명 인포그래픽(출처:삼성전자) 삼성전자가 세계 최초로 차세대 모바일기기용 '512GB(기가바이트) eUFS(embedded Universal Flash Storage)'를 양산을 시작했습니다. 2015년 1월 스마트폰용 '128GB eUFS' 양산으로 UFS 시장을 창출한 삼성전자는 2016년 2월 '256GB eUFS'에 이어 지난달 업계 유일하게 512GB eUFS 라인업을 출시해 21개월만에 모바일기기의 내장 메모리 용량을 2배로 높였는데, 이번 '512GB eUFS'는 고성능 64단 512Gb V낸드를 8단 적층하고 전용 컨트롤러를 탑재해 하나의 패키지로 만든 제품으로, 기존 48단 256Gb V낸드기반의 256GB 제품 대비 용량은 2배 늘리고 크기는 동일하게 유지하는 ..